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J-GLOBAL ID：200902230608959260   Reference number：08A0781395

Ultralow dielectric constant pSiCOH films prepared with tetramethylcyclotetrasiloxane as skeleton precursor

骨格前駆体としてテトラメチルシクロテトラシロキサンで作製した超低誘電率のpSiCOH膜

Author (2)： GRILL A. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  PATEL V. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 104  Issue： 2  Page： 024113  Publication year： Jul. 15, 2008 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *interlayer dielectric ,  *porous medium ,  *insulating film ,  precursor (substance) ,  blowing agent ,  substrate (plate) ,  silicon ,  substrate temperature ,  contraction (dimensional change) ,  permittivity ,  optical gap ,  refractive index ,  annealing (heat treatment) ,  temperature dependence ,  concentration dependence ,  *organosilicon compound ,  oxygen heterocyclic compound ,  epoxidation ,  porogen

JST classification (3)： Dielectrics in general  (BM05010F) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Substance index (3)： Tetramethylcyclotetrasiloxane ,  6-Oxabicyclo(3.1.0)hexane ,  2-Vinyloxirane

Terms in the title (5)： 骨格 ,  前駆体 ,  テトラメチルシクロテトラシロキサン ,  作製 ,  低誘電率