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J-GLOBAL ID：200902230821220626   Reference number：05A0410985

Enhancement of breakdown voltage by AlN buffer layer thickness in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 4 in. diameter silicon

4インチ直径シリコン上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおけるAlNバッファ層厚による破壊電圧の増強

Author (4)： ARULKUMARAN S. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  MATSUI S. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA H. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 86  Issue： 12  Page： 123503.1-123503.3  Publication year： Mar. 21, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...
Semi thesaurus term： breakdown voltage

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (10)： 直径 ,  シリコン ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  AlN ,  バッファ ,  層厚 ,  破壊電圧 ,  増強