Art

J-GLOBAL ID：200902233263428184   Reference number：08A0340577

Analysis and location of antisite defects in polycrystalline SiC

多結晶SiCにおけるアンチサイト欠陥の解析と配置

Author (1)： TAKESHITA Tetsuyoshi (Dep. of Electronics and Information Engineering, Ishikawa National Coll. of Technol., Tsubata, Kahoku-gun, Ishikawa ...)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 103  Issue： 6  Page： 063521  Publication year： Mar. 15, 2008 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *lattice defect ,  *silicon carbide ,  polycrystal ,  molecular dynamics ,  potential ,  analytical model ,  crystal grain ,  lattice constant ,  lattice distortion ,  compound semiconductor ,  Computer Simulation ,  *antisite defect ,  Molecular Dynamics Simulation ,  computer application ,  utilization
Semi thesaurus term： Tersoff potential ,  lattice parameter

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (2)： アンチサイト欠陥 ,  解析