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J-GLOBAL ID：200902233300987253   Reference number：04A0097181

Center to Edge Uniformity Control to Meet the Challenges of Sub 65nm Advanced Si Etch

中央端部間の均一性制御におけるサブ65nm先進Siエッチの課題

Author (6)： LEE C (Lam Res. Corp., CA) ,  YAMAGUCHI Y (Lam Res. Corp., CA) ,  LIN F (Lam Res. Corp., CA) ,  AOYAMA K (Lam Res. Japan, Kanagawa, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Lam Res. Japan, Kanagawa, JPN) ,  VAHEDI V (Lam Res. Corp., CA)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 3rd  Page： 111-114  Publication year： Nov. 13, 2003 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *dry etching ,...
Semi thesaurus term： 均一性制御 ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 均一性 ,  サブ ,  Si ,  エッチ