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J-GLOBAL ID：200902234383661342   Reference number：09A1180231

Precursors’ order effect on the properties of sulfurized Cu₂ZnSnS₄ thin films

Cu₂ZnSnS₄硫化薄膜の特性に対するプリカーサの順序効果

Author (4)： FERNANDES P A (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT) ,  FERNANDES P A (Instituto Politecnico do Porto, Porto, PRT) ,  SALOME P M P (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT) ,  DA 3CUNHA A F (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 24  Issue： 10  Page： 105013,1-7  Publication year： Oct. 2009 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *sulfide (chalcogenide) ,  *semiconductor alloys ,  semiconductor thin film ,  magnetron sputtering ,  precursor (fluid wave) ,  order (sequence) ,  composition (constitution) ,  carrier density ,  surface roughness ,  *copper compound ,  *zinc compound ,  *tin compound ,  *thin film ,  quality ,  crystal quality

JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (4)： Cu2ZnSnS4 ,  硫化 ,  薄膜 ,  プリカーサ