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J-GLOBAL ID：200902234971971579   Reference number：09A0599461

Enhancement of responsivity in solar-blind β-Ga₂O₃ photodiodes with a Au Schottky contact fabricated on single crystal substrates by annealing

焼なましにより単結晶基板上で製造されたAuショットキー接触を持つソーラー・ブラインドβ-Ga₂O₃光ダイオードにおける応答性の増幅

Author (5)： SUZUKI Rikiya (Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...) ,  NAKAGOMI Shinji (Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...) ,  KOKUBUN Yoshihiro (Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...) ,  ARAI Naoki (Nippon Light Metal Co., Ltd., 1-34-1 Kambara, Shimizu-ku, Shizuoka 421-3291, JPN) ,  OHIRA Shigeo (Nippon Light Metal Co., Ltd., 1-34-1 Kambara, Shimizu-ku, Shizuoka 421-3291, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 94  Issue： 22  Page： 222102  Publication year： Jun. 01, 2009 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *annealing(heat treatment) ,  Schottky defect ,  *Schottky barrier ,  substrate(plate) ,  single crystal ,  *gallium oxide ,  *light emitting diode ,  gold ,  *response characteristic
Semi thesaurus term： response

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (9)： 焼なまし ,  単結晶基板 ,  Au ,  ショット ,  キー ,  ブラインド ,  光ダイオード ,  応答性 ,  増幅