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J-GLOBAL ID：200902235015193653   Reference number：08A0055960

Carrier-Transport-Enhanced Channel CMOS for Improved Power Consumption and Performance

消費電力と性能の向上のためのキャリア輸送増強チャンネル型CMOS

Author (16)： TAKAGI Shinichi (MIRAI-AIST, Tsukuba, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IRISAWA Toshifumi (MIRAI-AIST, Tsukuba, JPN) ,  TEZUKA Tsutomu (MIRAI-AIST, Tsukuba, JPN) ,  NUMATA Toshinori (MIRAI-AIST, Tsukuba, JPN) ,  NAKAHARAI Shu (MIRAI-AIST, Tsukuba, JPN) ,  HIRASHITA Norio (MIRAI-AIST, Tsukuba, JPN) ,  MORIYAMA Yoshihiko (MIRAI-AIST, Tsukuba, JPN) ,  USUDA Koji (MIRAI-AIST, Tsukuba, JPN) ,  TOYODA Eiji (Covalent Materials Corp., Tokyo, JPN) ,  DISSANAYAKE Sanjeewa (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHICHIJO Masato (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NAKANE Ryosho (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUGAHARA Satoshi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUGIYAMA Naoharu (MIRAI-AIST, Tsukuba, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 55  Issue： 1  Page： 21-39  Publication year： Jan. 2008 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electric power consumption ,...
Semi thesaurus term： intersubband transition

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 消費電力 ,  キャリア輸送 ,  増強 ,  チャンネル ,  CMOS