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J-GLOBAL ID：200902235451743618   Reference number：07A0615781

Random Telegraph Signal in Flash Memory: Its Impact on Scaling of Multilevel Flash Memory Beyond the 90-nm Node

フラッシュメモリにおけるランダム電信信号:90nmノード以降の多値フラッシュメモリのスケーリングにおよぼすその影響

Author (10)： KURATA Hideaki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OTSUGA Kazuo (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KOTABE Akira (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAJIYAMA Shinya (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OSABE Taro (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SASAGO Yoshitaka (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  NARUMI Shunichi (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  TOKAMI Kenji (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  TSUCHIYA Osamu (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
Material： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE J Solid-State Circuits)
Volume： 42  Issue： 6  Page： 1362-1369  Publication year： Jun. 2007 
JST Material Number： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *flash memory ,...
Semi thesaurus term： テイルビット ,...

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JST classification (3)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Memory systems  (JC02040V) ,  Noise in general  (ND04010J)

Terms in the title (5)： フラッシュメモリ ,  電信 ,  ノード ,  多値 ,  スケーリング