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J-GLOBAL ID：200902236603893943   Reference number：09A1072520

Comprehensive Analysis of Variability Sources of FinFET Characteristics

FinFET特性の可変性原因の包括解析

Author (9)： MATSUKAWA T. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  O'UCHI S. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  ENDO K. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  ISHIKAWA Y. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  YAMAUCHI H. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  LIU Y.X. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TSUKADA J. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  SAKAMOTO K. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  MASAHARA M. (AIST, Ibaraki, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 2009  Page： 98-99  Publication year： 2009 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： FET ,  variability ,  *performance evaluation ,  CMOS structure ,  channel ,  work function ,  doping ,  *voltage fluctuation ,  optimization ,  SRAM ,  CAD ,  gate dielectric film ,  *drag reducing ,  *threshold voltage ,  MOS structure ,  modification
Semi thesaurus term： *FinFET ,  TCAD ,  gate length ,  compact model ,  *parasitic resistance

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  CAD,CAM  (JE10000A) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (4)： FinFET ,  可変性 ,  原因 ,  包括解析