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J-GLOBAL ID：200902237070963061   Reference number：08A0891505

Dense Self-Assembly on Sparse Chemical Patterns: Rectifying and Multiplying Lithographic Patterns Using Block Copolymers

疎な化学パターン上の密な自己集合 ブロック共重合体を用いるリソグラフィーパターンの整流および多重化

Author (5)： CHENG Joy Y. (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  RETTNER Charles T. (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  SANDERS Daniel P. (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  KIM Ho-Cheol (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  HINSBERG William D. (IBM Almaden Res. Center, CA, USA)
Material： Advanced Materials  (Adv Mater (Deerfield, Fla.))
Volume： 20  Issue： 16  Page： 3155-3158  Publication year： Aug. 18, 2008 
JST Material Number： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *pattern formation ,  wafer ,  *surface structure ,  *lithography ,  *block copolymer ,  self organization system ,  monomolecular layer ,  polystyrene ,  polymethyl methacrylate ,  *polymer membrane ,  *periodic structure ,  *surface layer structure ,  atomic force microscope ,  scanning electron microscope ,  resolving power ,  *high-resolution ,  self assembly
Semi thesaurus term： Silicon substrate ,  *domain structure ,  *nanopatterning formation ,  *nano lithography ,  resolution ,  *resolution conversion ,  *high resolution ,  self-assembled monolayer

JST classification (4)： Structure and morphology of polymer solids  (CG02022M) ,  Solid-solid interface  (CB12060M) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 化学 ,  自己集合 ,  ブロック共重合体 ,  整流 ,  多重化