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J-GLOBAL ID：200902237089111937   Reference number：04A0151025

Current quantization due to single-electron transfer in Si-wire charge-coupled devices

けい素細線電荷結合デバイス中の単一電子の移動に起因する電流の量子化

Author (4)： FUJIWARA A (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ZIMMERMAN N M (National Inst. Standards and Technol. (NIST), Maryland) ,  ONO Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 84  Issue： 8  Page： 1323-1325  Publication year： Feb. 23, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： General theory of electronic transport  (BM03020C) ,  Charge-transfer devices  (NC03130E)

Terms in the title (6)： けい素 ,  細線 ,  電荷結合デバイス ,  単一電子 ,  起因 ,  量子化