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J-GLOBAL ID：200902237461354167   Reference number：09A0734116

Direct gap photoluminescence of n-type tensile-strained Ge-on-Si

n型の張力で歪ませたGeオンSiの直接ギャップ光ルミネセンス

Author (4)： SUN Xiaochen (Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...) ,  LIU Jifeng (Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...) ,  KIMERLING Lionel C. (Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...) ,  MICHEL Jurgen (Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 95  Issue： 1  Page： 011911  Publication year： Jul. 06, 2009 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： room temperature ,  *photoluminescence ,  *Germanium ,  epitaxy ,  N-type semiconductor ,  tension (force) ,  strain ,  silicon ,  strength ,  electron ,  doping ,  Temperature ,  model ,  light emission ,  material ,  Models, Theoretical
Semi thesaurus term： epitaxy

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： 張力 ,  Ge ,  Si ,  ギャップ ,  光ルミネセンス