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J-GLOBAL ID：200902238536841146   Reference number：09A0713397

Crystallinity and Thermoelectric Properties of Si/GeB Multilayers Prepared with Si Buffer Layer and SiO₂ Substrates

Siバッファ層とSiO₂基板を用いて作製したSi/GeB多層膜の結晶度と熱電気的性質

Author (3)： MATOBA Akinari (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  SASAKI Kimihiro (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  KUMEDA Minoru (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 6,Issue 1  Page： 061201.1-061201.4  Publication year： Jun. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *multilayer film ,  ion beam sputtering ,  thermoelectric effect ,  property ,  crystallinity ,  buffer layer ,  wafer ,  semiconductor material ,  electrical resistivity ,  annealing (heat treatment) ,  lattice defect ,  silicon dioxide ,  germanium compound ,  boride ,  *semiconductor thin film ,  Si wafer
Semi thesaurus term： *熱電気的性質 ,  Si wafer

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (16)：

• L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus: Phys. Rev. B 47(1993) 12727.
• L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus: Phys. Rev. B 47(1993) 16631.
• R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, and B. O’Quinn: Nature 413(2001) 597.
• K. H. Lee, Y. Mune, H. Ohta, and K. Koumoto: Appl. Phys. Express 1(2008) 015007.
• B. Yang, W. L. Liu, J. L. Lee, K. L. Wang, and G. Chen: Appl. Phys. Lett. 81(2002) 3588.

Terms in the title (7)： Si ,  バッファ層 ,  SiO2 ,  作製 ,  多層膜 ,  結晶度 ,  熱電気的性質