Art

J-GLOBAL ID：200902238536912990   Reference number：09A0759094

Electronic energy states in Si-doped MgO for exoelectron emission

エクゾ電子放出のためのSiドープMgO中の電子エネルギー状態

Author (9)： HO S. (Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN) ,  NOBUKI S. (Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN) ,  UEMURA N. (Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN) ,  MORI S. (Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN) ,  MIYAKE T. (Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN) ,  SUZUKI K. (Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN) ,  MIKAMI Y. (Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN) ,  SHIIKI M. (Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN) ,  KUBO S. (Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 106  Issue： 1  Page： 014911  Publication year： Jul. 01, 2009 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *exoelectron emission ,  *magnesium oxide ,  *silicon ,  doping ,  *energy level ,  electron source ,  electronic excitation ,  thermal effect ,  state density ,  cluster ,  vacancy ,  trapping center ,  analytical model ,  time constant ,  oxygen vacancy ,  thermal excitation

JST classification (1)： Others in electron emission  (BM09050Z)

Terms in the title (6)： エクゾ電子放出 ,  Si ,  ドープ ,  MgO ,  電子 ,  エネルギー状態