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J-GLOBAL ID：200902238685845723   Reference number：04A0304621

Identification of vacancy-oxygen complexes in oxygen-implanted silicon probed with slow positrons

遅い陽電子で探測した酸素注入シリコン中の空格子点-酸素複合体の同定

Author (6)： FUJINAMI M (Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN) ,  MIYAGOE T (Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN) ,  SAWADA T (Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN) ,  SUZUKI R (National Inst Advanced Industiral Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  OHDAIRA T (National Inst Advanced Industiral Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  AKAHANE T (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 95  Issue： 7  Page： 3404-3410  Publication year： Apr. 01, 2004 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Positron annihilation  (BK16052L)

Terms in the title (8)： 陽電子 ,  探測 ,  酸素注入 ,  シリコン ,  空格子点 ,  酸素 ,  複合体 ,  同定