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J-GLOBAL ID：200902239323360841   Reference number：09A0806382

Silicon Nanowires: A Review on Aspects of their Growth and their Electrical Properties

ケイ素ナノワイヤ それらの成長および電気的性質に関する総説

Author (4)： SCHMIDT Volker (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  WITTEMANN Joerg V. (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  SENZ Stephan (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  GOESELE Ulrich (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Halle, DEU)
Material： Advanced Materials  (Adv Mater (Deerfield, Fla.))
Volume： 21  Issue： 25/26  Page： 2681-2702  Publication year： Jul. 13, 2009 
JST Material Number： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *nanowire ,  *crystal growth ,  *electrical property ,  chemical vapor deposition ,  silicon oxide ,  evaporation ,  MBE growth ,  laser ablation ,  liquid phase reaction ,  gold compound ,  transition metal catalyst ,  thermodynamics ,  thermal expansion ,  substrate(plate) ,  stability criterion ,  growth rate ,  Joule-Thomson effect ,  drug abuse ,  ionization potential ,  surface level ,  carrier ,  mobility(ratio)
Semi thesaurus term： ionization energy ,  stability criterion ,  Au catalyst ,  charge carrier ,  surface state ,  molecular beam epitaxy

JST classification (3)： Atomic and molecular clusters  (BH09030O) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Solid-gos interface in general.  (CB12041H)

Terms in the title (4)： ケイ素ナノワイヤ ,  成長 ,  電気的性質 ,  総説