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J-GLOBAL ID：200902239394749464   Reference number：09A1089488

The growth of single-walled carbon nanotubes on a silica substrate without using a metal catalyst

金属触媒を使用しないシリカ基板上の単層カーボンナノチューブの成長

Author (4)： LIU Huaping (Dep. of Physics, Tokyo Univ. of Sci., Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  TAKAGI Daisuke (Dep. of Physics, Tokyo Univ. of Sci., Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  CHIASHI Shohei (Dep. of Physics, Tokyo Univ. of Sci., Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  HOMMA Yoshikazu (Dep. of Physics, Tokyo Univ. of Sci., Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
Material： Carbon
Volume： 48  Issue： 1  Page： 114-122  Publication year： Jan. 2010 
JST Material Number： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *single-walled carbon nanotube ,  *chemical vapor deposition ,  thermochemical reaction ,  nano particle ,  vapor phase growth ,  reaction mechanism ,  defect ,  substrate (plate) ,  aliphatic alcohol ,  silicon dioxide
Semi thesaurus term： silica

JST classification (2)： Carbon and its compounds  (YB02060D) ,  Unit process  (XE01040I)

Substance index (1)： Ethanol

Terms in the title (4)： 金属触媒 ,  シリカ基板 ,  単層カーボンナノチューブ ,  成長