Art

J-GLOBAL ID：200902240368793909   Reference number：03A0552817

Defect filtration of hollow pyramidal structured GaSb epilayers grown on GaSb patterned substrates by liquid phase epitaxy

液相エピタクシーによりGaSbパターン化基板上に成長させた中空な角錐構造GaSbエピ層の欠陥フィルタ

Author (5)： ZHANG G (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  BALAKRISHNAN K (West Virginia Univ., WV, USA) ,  KOYAMA T (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  KUMAGAWA M (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  HAYAKAWA Y (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 256  Issue： 3/4  Page： 243-247  Publication year： Sep. 2003 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0552817&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 液相エピタクシー ,  GaSb ,  パターン化 ,  成長 ,  角錐 ,  エピ層 ,  欠陥