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J-GLOBAL ID：200902240445160213   Reference number：04A0710033

The effect of silicon doping and thermal annealing on the electrical and structural properties of hydrogenated amorphous carbon thin films

水素化非晶質炭素薄膜の電気的,構造的特性へのシリコンドーピングと熱処理の効果

Author (4)： OKPALUGO T I T (Univ. Ulster, Belfast, GBR) ,  MAGUIRE P D (Univ. Ulster, Belfast, GBR) ,  OGWU A A (Univ. Ulster, Belfast, GBR) ,  MCLAUGHLIN J A D (Univ. Ulster, Belfast, GBR)
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 13  Issue： 4/8  Page： 1549-1552  Publication year： Apr. 2004 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *DLC film ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 水素化 ,  非晶質 ,  炭素薄膜 ,  構造的特性 ,  シリコン ,  ドーピング ,  熱処理