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J-GLOBAL ID：200902240865155266   Reference number：09A0531430

Enhanced photoluminescence of heavily n-doped germanium

高濃度nドープしたゲルマニウムの光ルミネセンス増強

Author (9)： EL KURDI M. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  KOCINIEWSKI T. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  NGO T.-p. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  BOULMER J. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  DEBARRE D. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  BOUCAUD P. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  DAMLENCOURT J. F. (CEA-DRT-LETI, 17 rue des martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  KERMARREC O. (STMicroelectronics, Rue Jean Monnet 38054 Crolles, FRA) ,  BENSAHEL D. (STMicroelectronics, Rue Jean Monnet 38054 Crolles, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 94  Issue： 19  Page： 191107  Publication year： May. 11, 2009 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoluminescence ,  laser deposition ,  *Germanium ,  semiconductor material ,  donor ,  dopant ,  conduction band ,  *doping

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： 高濃度 ,  ドープ ,  ゲルマニウム ,  光ルミネセンス ,  増強