Art

J-GLOBAL ID：200902241061206816   Reference number：03A0344583

High Mobility Thin Film Transistors with Transparent ZnO Channels.

透明ZnOチャネルを持つ高移動度薄膜トランジスタ

Author (9)： NISHII J (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HOSSAIN F M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AITA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SAIKUSA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHMAKI Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHKUBO I (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOINUMA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHNO H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KAWASAKI M (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 4A  Page： L347-L349  Publication year： Apr. 01, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc oxide ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (16)：

• 1) T. Minami: Mater. Res. Soc. Bull. August (2000) 38.
• 2) G. Sberveglieri: Sens. & Actuat. B 23 (1995) 103.
• 3) D. R. Clarke: J. Am. Ceram. Soc. 82 (1999) 485.
• 4) Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma and Y. Segawa: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 3270.
• 5) H. Ohta, M. Orita, M. Hirano and H. Hosono: J. Appl. Phys. 89 (2001) 5720.

Terms in the title (4)： ZnO ,  チャネル ,  高移動度 ,  薄膜トランジスタ