Art

J-GLOBAL ID：200902241178832386   Reference number：07A0862924

Mechanism of surface conduction in the vicinity of Schottky gates on AlGaN/GaN heterostructures

AlGaN/GaNへテロ構造上のSchottkyゲート付近における表面伝導の機構

Author (4)： KOTANI Junji (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  TAJIMA Masafumi (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  KASAI Seiya (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 91  Issue： 9  Page： 093501-1-093501-3  Publication year： Aug. 27, 2007 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： *AlGaN

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0862924&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (5)： AlGaN ,  GaN ,  テロ ,  ゲート ,  表面伝導