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J-GLOBAL ID：200902241487259798   Reference number：03A0817624

Deep hole trap levels of Sb-doped ZnSe grown by MOVPE

MOVPEによって成長させたSbをドープしたZnSeの深い正孔捕獲準位

Author (2)： IDO T (Chubu Univ., Aichi, JPN) ,  GOTO H (Chubu Univ., Aichi, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 259  Issue： 3  Page： 257-261  Publication year： Dec. 2003 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (3)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (2)： Dimethyl selenide ,  Dimethylzinc

Terms in the title (6)： MOVPE ,  成長 ,  Sb ,  ドープ ,  ZnSe ,  正孔捕獲