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J-GLOBAL ID：200902241561933048   Reference number：06A0421072

Fabrication of High-Mobility Nitrided Hafnium Silicate Gate Dielectrics with Sub-1-nm Equivalent Oxide Thickness Using Plasma Nitridation and High-Temperature Postnitridation Annealing

プラズマ窒化法および高温窒化後アニーリングを用いた,サブナノメータの等価酸化厚さを有する高移動度窒化けい酸ハフニウムゲート誘電体の作製

Author (6)： INUMIYA Seiji (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN) ,  MIURA Takayoshi (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN) ,  SHIRAI Kiyoshi (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN) ,  MATSUKI Takeo (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN) ,  TORII Kazuyoshi (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN) ,  NARA Yasuo (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 45  Issue： 4B  Page： 2898-2902  Publication year： Apr. 30, 2006 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ion nitriding ,...
Semi thesaurus term： *plasma nitriding

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JST classification (3)： Applications of plasma  (BJ02110K) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Reference (13)：

• S. H. Lo, D. A. Buchanan, Y. Taur and W. Wang: IEEE Electron Device Lett.18(1997)209.
• J. H. Stathis and D. J. Maria: IEDM Tech. Dig., 1998, p. 167.
• S. Inumiya, K. Sekine, S. Niwa, A. Kaneko, M. Sato, T. Watanabe, H. Fukui, Y. Kamata, M. Koyama, A. Nishiyama, M. Takayanagi, K. Eguchi and Y. Tsunashima: 2003 Symp. VLSI Technology, 2003, p. 18.
• K. Sekine, S. Inumiya, M. Sato, A. Kaneko, K. Eguchi and Y. Tsunashima: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 103.
• The International Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Association, 2004.

Terms in the title (11)： プラズマ窒化法 ,  窒化 ,  アニーリング ,  サブ ,  ナノメータ ,  等価 ,  酸化 ,  高移動度 ,  けい酸ハフニウム ,  ゲート誘電体 ,  作製