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J-GLOBAL ID：200902241917647231   Reference number：08A1196342

Development of Silsesquioxane-type Gate Insulating Films and Properties of Its-based Organic Thin Film Transistors

有機薄膜トランジスタ向け塗布型ゲート絶縁膜材料の開発とトランジスタ特性の評価

Author (9)： MURAKAMI SHUICHI (大阪府産業技総研) ,  HAMADA TAKASHI (科学技術振興機構) ,  TOMATSU KENJI (大阪府大 大学院工学研究科) ,  UEDA YUSUKE (大阪府大 大学院工学研究科) ,  YAMAZAKI SAORI (シチズンホールディングス) ,  NAGASE TAKASHI (大阪府大 大学院工学研究科) ,  KOBAYASHI TAKASHI (大阪府大 大学院工学研究科) ,  MATSUKAWA KIMIHIRO (大阪市工研) ,  NAITO HIROYOSHI (大阪府大 大学院工学研究科)
Material： 大阪府立産業技術総合研究所報告
Issue： 22  Page： 79-84  Publication year： Sep. 30, 2008 
JST Material Number： F0173B  ISSN： 1343-3555  CODEN： KEHOFI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *insulating film ,  *thin film transistor ,  polysilsesquioxane ,  sol-gel process ,  dielectric material ,  *gate dielectric film
Semi thesaurus term： high-dielectric constant material ,  *organic field-effect transistor

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (12)：

• T. Tsumura, H. Koezuka and T. Ando: App. Phys. Lett., 49, 18(1986)p. 1210.
• 下田達也, 川瀬健夫: 応用物理, 70(2001)p. 1452.
• C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant: Adv. Mater., 14, 2(2002)p. 99.
• L. L. Chua, J. Zaumseil, J. F. Chang, E. C. W. Ou, P. K.. H. Ho, H. Sirringhaus and R. H. Friend: Nature, 434(2005)p. 194.
• C. D. Sheraw, D. J. Gundlach and T. N. Jockson: Mater. Soc. Symp. Proc., 558(2000)p. 403.

Terms in the title (5)： 有機薄膜トランジスタ ,  ゲート絶縁膜 ,  開発 ,  トランジスタ ,  評価