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J-GLOBAL ID：200902242966292054   Reference number：04A0858269

Dislocation density analysis of GaAs bulk single crystal during ingot annealing process (comparison among several computational methods)

インゴット焼きなましプロセスの間のGaAsバルク単結晶の転位密度解析 いくつかの計算法の比較

Author (3)： MIYAZAKI N (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KUMAMOTO A (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  HARADA C (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 271  Issue： 3/4  Page： 358-367  Publication year： Nov. 15, 2004 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (9)： インゴット ,  焼きなまし ,  プロセス ,  GaAs ,  バルク ,  単結晶 ,  転位密度 ,  解析 ,  計算