Art

J-GLOBAL ID：200902244680207222   Reference number：04A0571978

Surface-State Electrical Conductivity at a Metal-Insulator Transition On Silicon

けい素上の金属-絶縁体転移における表面状態電気伝導率

Author (4)： TANIKAWA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MATSUDA I (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KANAGAWA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 93  Issue： 1  Page： 016801.1-016801.4  Publication year： Jul. 02, 2004 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...
Semi thesaurus term： four-point method

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0571978&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0070A") }}

JST classification (2)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Metal-insulator transitions  (BM02110T)

Terms in the title (3)： けい素 ,  金属-絶縁体転移 ,  電気伝導率