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J-GLOBAL ID：200902245053751533   Reference number：05A0197105

Vacancy-type defects in strained-Si layers deposited on SiGe/Si structures probed by using monoenergetic positron beams

単一エネルギー陽電子ビームを用いて調べた,SiGe/Si構造上に堆積した歪Si層中の空格子点型欠陥

Author (6)： UEDONO A (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HATTORI N (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  NARUOKA H (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  ISHIBASHI S (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI R (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OHDAIRA T (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 97  Issue： 2  Page： 023532.1-023532.5  Publication year： Jan. 15, 2005 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *vacancy ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Interactions with electrons and positrons in general  (BK16051U)

Terms in the title (9)： エネルギー ,  陽電子ビーム ,  SiGe ,  Si ,  堆積 ,  歪 ,  Si層 ,  空格子点 ,  欠陥