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J-GLOBAL ID：200902245244966866   Reference number：05A0646238

Properties of nonpolar a-plane GaN films grown by HVPE with AlN buffers

AlNバッファを有するHVPEにより成長した非極性a-面GaN膜の特性

Author (9)： PASKOVA T. (Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE) ,  DARAKCHIEVA V. (Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE) ,  PASKOV P.p. (Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE) ,  BIRCH J. (Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE) ,  VALCHEVA E. (Fac. of Physics, Sofia Univ., 5, J.Bourchier blvd., 1164 Sofia, BGR) ,  PERSSON P.o.a. (Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE) ,  ARNAUDOV B. (Fac. of Physics, Sofia Univ., 5, J.Bourchier blvd., 1164 Sofia, BGR) ,  TUNGASMITTA S. (Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE) ,  MONEMAR B. (Dep. of Physics and Measurement Technol., Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 281  Issue： 1  Page： 55-61  Publication year： Jul. 15, 2005 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,...
Semi thesaurus term： HVPE ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： AlN ,  バッファ ,  HVPE ,  成長 ,  非極性 ,  GaN