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J-GLOBAL ID：200902246534728493   Reference number：03A0486768

Growth mechanism of α-SiC hetero-epitaxial films by PLD as studied on the laser photon, pulse-width and substrates dependence.

レーザ光子,パルス幅,基板の依存性として調べたPLDによるα-SiCヘテロエピタキシャル膜の成長機構

Author (3)： MUTO H (AIST, Nagoya, JPN) ,  KAMIYA S (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  KUSUMORI T (AIST, Nagoya, JPN)
Material： Optical Materials  (Opt Mater)
Volume： 23  Issue： 1/2  Page： 43-47  Publication year： Jul. 2003 
JST Material Number： W0468A  ISSN： 0925-3467  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： laser fluence

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Laser irradiation effects and damages  (BK16040S)

Terms in the title (8)： レーザ ,  光子 ,  パルス幅 ,  PLD ,  SiC ,  テロ ,  エピタキシャル膜 ,  成長