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J-GLOBAL ID：200902246770890846   Reference number：05A0027925

電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(4)水素イオン照射下におけるGe中の面状拡張欠陥の成長過程の動的観察

Author (3)：
ARAKAWA KAZUTO

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(島根大 総合理工)

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OKANO YASUYUKI

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ONO KOTARO

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Material：
まてりあ  (Materia Japan)

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Volume： 43  Issue： 12  Page： 995  Publication year： Dec. 20, 2004 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)
Thesaurus term：
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Semi thesaurus term：
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JST classification (2)：
JST classification
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Irradiational changes semiconductors 
(BK16123E)

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(BK01040E)

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Terms in the title
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微細構造

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水素イオン

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