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J-GLOBAL ID：200902248810710571   Reference number：03A0339518

Inovation of the semiconductor technology. Low temperature technology using ozone for high grade silicone oxide film production.

半導体プロセス技術のイノベーション 高品位シリコン酸化膜のオゾンによる低温作製技術

Author (4)： ICHIMURA SHINGO (産業技術総合研 極微プロファイル計測研究ラボ) ,  NONAKA HIDEHIKO (産業技術総合研 極微プロファイル計測研究ラボ) ,  KUROKAWA AKIRA (産業技術総合研 極微プロファイル計測研究ラボ) ,  NAKAMURA KEN (産業技術総合研 極微プロファイル計測研究ラボ)
Material： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
Volume： 42  Issue： 5  Page： 36-41  Publication year： May. 01, 2003 
JST Material Number： F0040A  ISSN： 0387-0774  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon dioxide ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (7)： 半導体プロセス ,  イノベーション ,  高品位 ,  シリコン酸化膜 ,  オゾン ,  低温 ,  作製技術