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J-GLOBAL ID：200902249293695806   Reference number：08A1094323

High pressure in situ HCl etching of Si_1-xGe_x versus Si for advanced devices

先進デバイス用Si_1-xGe_xの高圧in situ HClエッチングのSiに対する選択性

Author (4)： DESTEFANIS V (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  HARTMANN J M (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  BOREL S (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  BENSAHEL D (STMicroelectronics, Crolles, FRA)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 23  Issue： 10  Page： 105019,1-9  Publication year： Oct. 2008 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,  *silicide ,  *germanium compound ,  *etching ,  hydrogen chloride ,  selectivity ,  transverse direction ,  longitudinal direction ,  MOSFET ,  *selective etching
Semi thesaurus term： *silicon germanium

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 高圧 ,  HCl ,  エッチング ,  Si ,  選択性