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J-GLOBAL ID：200902249555338368   Reference number：08A0943020

フラックスエピタキシー法を用いた自己組織化Bi₄Ti₃O₁₂ナノプレートの成長機構

Author (4)： IMAI AKIRA (東京工大 応用セラミックス研) ,  TAKAHASHI RYOTA (メリーランド大) ,  TAKEUCHI ICHIRO (メリーランド大) ,  MATSUMOTO YUJI (東京工大 応用セラミックス研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 69th  Issue： 2  Page： 509  Publication year： Sep. 02, 2008 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： titanate ,  *bismuth compound ,  *epitaxy ,  *self-organizing ,  nanostructure ,  dielectric thin film ,  *ferroelectrics ,  vanadium oxide ,  laser deposition ,  strontium titanate ,  doping ,  niobium ,  crystal structure ,  surface structure ,  X-Ray Diffraction ,  scanning electron microscope ,  optical microscopy ,  *flux growth ,  combinatorial chemistry ,  pulsed laser deposition ,  *bismuth titanate ,  laser microscope ,  structure

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Crystal growth of oxides  (BK13050I)

Terms in the title (3)： 自己組織化 ,  ナノプレート ,  成長