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J-GLOBAL ID：200902249763190838   Reference number：07A1152227

Ga₂O₃ Thin Film Growth on c-Plane Sapphire Substrates by Molecular Beam Epitaxy for Deep-Ultraviolet Photodetectors

深紫外光検出器への応用を目的としたGa₂O₃薄膜の分子ビームエピタクシーによるc-面サファイア基板上への成長

Author (3)： OSHIMA Takayoshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OKUNO Takeya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA Shizuo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 46  Issue： 11  Page： 7217-7220  Publication year： Nov. 15, 2007 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ultraviolet detector ,...

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JST classification (2)： Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J) ,  Photometry and photodetectors in general  (BD07031F)

Reference (18)：

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• T. Takagi, H. Tanaka, Sz. Fujita, and Sg. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003) L401.

Terms in the title (8)： 深紫外 ,  光検出器 ,  応用 ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  分子ビームエピタクシー ,  サファイア基板 ,  成長