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J-GLOBAL ID：200902249864371442   Reference number：05A0703589

Hopping Transport of Electrons and Holes at Localized Band Tail States in Amorphous Hydrogenated Silicon and Amorphous Heavy-Hydrogenated Silicon

非晶質水素化シリコンと非晶質高水素化シリコンの局在した伝導帯テイル状態での電子と正孔のホッピング輸送

Author (3)： OHNO Kazuhiro (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  MURAYAMA Kazuro (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  MATSUDA Akihisa (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 7A  Page： 4764-4769  Publication year： Jul. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *amorphous semiconductor ,...
Semi thesaurus term： conduction band

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JST classification (1)： Structure of amorphous semiconductors  (BK04030O)

Reference (20)：

• 1) T. Tiedje, J. M. Cebulka, D. L. Morel and B. Abeles: Phys. Rev. Lett. 46 (1981) 1425.
• 2) T. Tiedje: in The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II, eds. J. D. Joannopoulos and G. Lucovsky (Springer-Verlag, Heidelberg, 1984) p. 261.
• 3) W. E. Spear and P. G. LeComber: Philos. Mag. B 52 (1985) 247.
• 4) J. M. Marshall, R. A. Street and T. J. Thompson: Philos. Mag. B 54 (1985) 51.
• 5) R. Vanderhaghen: Phys. Rev. B 38 (1988) 10755.

Terms in the title (9)： 非晶質水素化シリコン ,  非晶質 ,  水素化シリコン ,  伝導帯 ,  テイル ,  電子 ,  正孔 ,  ホッピング ,  輸送