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J-GLOBAL ID：200902250819643812   Reference number：09A1223435

Stress assisted magnetization reversal of a spin valve structural perpendicular GMR multi-layer

応力アシスト磁化反転用スピン注入型垂直磁化GMR多層膜の作製

Author (3)： JIMBO KAZUYA (東京工大 大学院理工学研究科) ,  SAITO NAOYA (東京工大 大学院理工学研究科) ,  NAKAGAWA SHIGEKI (東京工大 大学院理工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 109  Issue： 222(MR2009 21-28)  Page： 37-40  Publication year： Oct. 01, 2009 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： magnetization reversal ,  injection (pour) ,  perpendicular magnetization ,  multilayer film ,  anomalous Hall effect ,  giant magnetoresistance ,  *magnetoresistive random access memory ,  *magnetic thin film memory
Semi thesaurus term： spin injection ,  stress assisted magnetization reversal ,  GMR effect

JST classification (1)： Memory units  (JC04060F)

Reference (8)：

• 1) PREJBEANU I. L. Thermally assisted MRAM. J. Phys. Condens. Matter.. (2007) vol.19, p.165218.
• 2) MORIYAMA T. Micro-wave assisted magnetization switching of Ni80Fe20 in magnetic tunnel junctions. Appl. Phys. Lett.. (2007) vol.90, p.152503.
• 3) SAITO N. Improvement of stress-induced magnetization reversal process of DyFeCo thin films. J. Appl. Phys.. (2008) vol.103, p.07A706.
• 4) BORESI A. P. Advanced Mechanics of Materials. Wiley. (1993)
• 5) NISHIMURA N. J. Appl. Phys.. (2002) vol.91, no.8, p.5246.

Terms in the title (8)： 応力 ,  アシスト ,  磁化反転 ,  スピン注入 ,  垂直磁化 ,  GMR ,  多層膜 ,  作製