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J-GLOBAL ID：200902251428455066   Reference number：06A0961313

GaSb-Si quantum dot - Will this new class of QD promise a viable Si-based active photonic device?

Si中のGaSb量子ドットを用いた光デバイスへの道

Author (1)： FUKATSU SHIN (東大 大学院総合文化研究科)
Material： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
Volume： 33  Issue： 4  Page： 322-323  Publication year： Nov. 01, 2006 
JST Material Number： F0452B  ISSN： 0385-6275  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (3)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (5)： Si ,  GaSb ,  量子ドット ,  光デバイス ,  道