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J-GLOBAL ID：200902251690936326   Reference number：06A0300829

Effect of epitaxial temperature on N-polar InN films grown by molecular beam epitaxy

分子線エピタクシーにより成長したN極性InN膜に対するエピタキシャル温度の効果

Author (4)： WANG Xinqiang (Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...) ,  CHE Song-bek (Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...) ,  ISHITANI Yoshihiro (Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...) ,  YOSHIKAWA Akihiko (Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 99  Issue： 7  Page： 073512-073512-5  Publication year： Apr. 01, 2006 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  極性 ,  InN ,  エピタキシャル