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J-GLOBAL ID：200902251709516811   Reference number：09A1279046

-超高速スイッチングに伴うノイズ電流の対策-SiC素子 近未来電力変換器と問題点

Author (1)： NOGUCHI TOSHIHIKO (静岡大)
Material： 電磁環境工学情報EMC  (月刊EMC)
Volume： 22  Issue： 8  Page： 30-48  Publication year： Dec. 05, 2009 
JST Material Number： L0077A  ISSN： 0916-2275  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： switching ,  electric current ,  semiconductor device ,  *power converter ,  *switching element ,  *silicon carbide ,  gate circuit ,  noise reduction
Semi thesaurus term： common mode current

JST classification (1)： Power converters  (NB08030B)

Reference (18)：

• 荒井和雄, 吉田貞史:「Sic素子の基礎と応用」, オーム社, 2003年
• I. Takahashi: “High Power SiC Converter in Future”, Symposium on Future Electron Devices 2000, 2000
• 高尾和人, 八尾勉, 荒井和雄:「SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性」, 電気学会論文誌D, Vol.124, No.9, pp. 917-923, 2004年
• J. Rodriguez, J. Lai, and F. Z. Peng: “Multilevel Inverters: A Survey of Topologies, Controls, and. Applications”, IEEE Trans. Ind. Elec., Vol.49, No.4, 2002
• A. Nabae, I. Takahashi, and H. Akagi: “A New Neutral-Point-Clamped PWM Inverter”, IEEE Trans. Ind. Appl., Vol.IA-17, No.5, pp. 518-523, 1981

Terms in the title (7)： スイッチング ,  ノイズ ,  対策 ,  SiC素子 ,  未来 ,  電力変換器 ,  問題点