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J-GLOBAL ID：200902260272704620   Reference number：04A0667970

High di/dt Switching Characteristics of a SiC Schottky Barrier Diode

SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性

Author (3)： TAKAO KAZUTO (産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研究セ) ,  YATSUO TSUTOMU (産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研究セ) ,  ARAI KAZUO (産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研究セ)
Material： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
Volume： 124  Issue： 9  Page： 917-923  Publication year： Sep. 01, 2004 
JST Material Number： X0451A  ISSN： 0913-6339  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： switching diode ,...
Semi thesaurus term： 高di/dtスイッチング特性 ,...

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JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Reference (11)：

• (1) E. Masada: “Power Electronics in Industrial Strategy for Modern Society”, PCC-Osaka 2002 (2002)
• (2) 資源エネルギー庁省エネルギー対策課:「省エネルギー技術戦略」報告書 (2002)
• (3) H. Ohashi: “Recent Power Devices Trend”, J. IEE Japan, Vol. 122, No. 3, pp. 168-171 (2002-3) (in Japanese)
• 大橋弘通:「最新のパワーデバイスの動向」, 電気学会誌, Vol. 122, No. 3, pp. 168-171 (2002-3)
• (4) 荒井和雄·吉田貞史 共編:SiC素子の基礎と応用, 第1章, オーム社 (2003)

Terms in the title (5)： SiC ,  ショットキーバリアダイオード ,  DI ,  dT ,  スイッチング特性