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J-GLOBAL ID：200902252398874421   Reference number：04A0190015

Optical properties of Si-, Ge- and Sn-doped GaN

Si,Ge及びSnドープGaNの光学的性質

Author (8)： SHIKANAI A (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUKAHORI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAWAKAMI Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HAZU K (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SOTA T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  MITANI T (Nichia Corp., JPN) ,  MUKAI T (Nichia Corp., JPN) ,  FUJITA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002  (Physica Status Solidi)
Page： 26-30  Publication year： 2003 
JST Material Number： K20030106  ISSN： 1610-1634  ISBN： 3-527-40435-X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (2)： Visible and ultraviolet spectra of semiconductors  (BM08083Y) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： Si ,  Ge ,  Sn ,  ドープ ,  GaN ,  光学的性質