Impact of Local Strain From Selective Epitaxial Germanium With Thin Si/SiGe Buffer on High-Performance p-i-n Photodetectors With a Low Thermal Budget

LOH W. Y.; WANG J.; WANG J.; YE J. D.; YANG R.; NGUYEN H. S.; CHUA K. T.; SONG J. F.; LOH T. H.; XIONG Y. Z.; LEE S. J.; LEE S. J.; YU M. B.; LO G. Q.; KWONG D. L.

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J-GLOBAL ID：200902252517739031 Reference number：07A1109390

Impact of Local Strain From Selective Epitaxial Germanium With Thin Si/SiGe Buffer on High-Performance p-i-n Photodetectors With a Low Thermal Budget

低サーマルバジェトを用いた高性能p-i-n光検知器への薄型Si/SiGeバッファーとともに選択エピタキシャルゲルマニウムからの局所部歪みの影響

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Material：
Volume： 28 Issue： 11 Page： 984-986 Publication year： Nov. 2007
JST Material Number： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ Document type： Article
Article type：短報 Country of issue： United States (USA) Language： ENGLISH (EN)

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Other optical transmission devices , Manufacturing technology of solid-state devices

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