Art

J-GLOBAL ID：200902252574058806   Reference number：05A0265544

High Performance of InGaN LEDs on (111) Silicon Substrates Grown by MOCVD

MOCVDにより(111)シリコン基板上に成長させたInGaN LEDの高い性能

Author (3)： EGAWA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ZHANG B (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 26  Issue： 3  Page： 169-171  Publication year： Mar. 2005 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,...
Semi thesaurus term： accelerated test

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0265544&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (5)： MOCVD ,  シリコン基板 ,  成長 ,  InGaN ,  LED