Art

J-GLOBAL ID：200902252919483513   Reference number：09A1173847

Field-Effect Transistors Based on Tetraphenyldipyranylidenes and the Sulfur Analogues

テトラフェニルジピラニリデンと硫黄類似体に基づく電界効果トランジスター

Author (4)： BOLAG Altan (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  MAMADA Masashi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  NISHIDA Jun-ichi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMASHITA Yoshiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
Material： Chemistry of Materials  (Chem Mater)
Volume： 21  Issue： 19  Page： 4350-4352  Publication year： Oct. 13, 2009 
JST Material Number： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  P-type semiconductor ,  ultraviolet absorption spectrum ,  energy gap ,  X-ray diffraction ,  chemical synthesis ,  atomic force microscope ,  *sulfur heterocyclic compound ,  *oxygen heterocyclic compound
Semi thesaurus term： HOMO-LUMO gap ,  *Pyrans

JST classification (3)： Pyranes  (CF07092R) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Thiopyrans  (CF07094Z)

Substance index (1)： AE-800

Terms in the title (3)： 硫黄 ,  類似体 ,  電界効果トランジスター