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J-GLOBAL ID：200902253367058002   Reference number：04A0297130

Effect of uniaxial stress on the electronic state of a platinum-dihydrogen complex in silicon and charge-state-dependent motion of hydrogen during stress-induced reorientation

シリコン中,白金-2水素複合体の電子状態と応力に誘起された再配向中,水素の電荷状態に依存した運動に対する1軸応力効果

Author (6)： KAMIURA Y (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  SATO K (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  IWAGAMI Y (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  YAMASHITA Y (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  ISHIYAMA T (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  TOKUDA Y (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 69  Issue： 4  Page： 045206.1-045206.8  Publication year： Jan. 2004 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (2)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (12)： シリコン ,  白金 ,  水素 ,  複合体 ,  電子状態 ,  応力 ,  誘起 ,  再配向 ,  電荷状態 ,  運動 ,  1軸 ,  応力効果