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J-GLOBAL ID：200902253585575523   Reference number：05A0504246

SIサイリスタを用いたナノパルス電源による大気圧下でのダイヤモンド状炭素膜成膜

Author (6)： KONDO YOSHIMASA (日本碍子) ,  SAITO TAKAO (日本碍子) ,  HOSONO SHINTARO (東京工大 大学院) ,  IMANISHI YUICHIRO (日本碍子) ,  NAKAMURA YUKINORI (日本碍子) ,  OTAKE NAOTO (東京工大 大学院)
Material： SIデバイスシンポジウム講演論文集  (Proceedings. Symposium of Static Induction Devices)
Volume： 17th  Page： 9-14  Publication year： Jul. 02, 2004 
JST Material Number： L3159A  ISSN： 1340-5853  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Carbon ,...
Semi thesaurus term： ナノパルス電源 ,...

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JST classification (3)： Thyristors  (NC03060C) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Terms in the title (6)： Si ,  サイリスタ ,  パルス電源 ,  大気圧 ,  ダイヤモンド状炭素 ,  成膜