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J-GLOBAL ID：200902254983778430   Reference number：04A0050056

Ultrathin InAs/GaAs single quantum wells grown on GaAs (111)A substrates by molecular beam epitaxy

分子ビームエピタクシーによってGaAs(111)基板に成長した超薄InAs/GaAs単一量子井戸

Author (5)： MASHITA M (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  NUMATA T (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  KOO B H (Changwon National Univ., Gyeongnam, KOR) ,  MAKINO H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAO T (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： IEE Proceedings. Optoelectronics  (IEE Proc Optoelectron)
Volume： 150  Issue： 4  Page： 399-402  Publication year： Aug. 2003 
JST Material Number： B0058D  ISSN： 1350-2433  CODEN： IPOPE8  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 分子ビームエピタクシー ,  GaAs ,  成長 ,  InAs ,  単一量子井戸