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J-GLOBAL ID：200902255153801010   Reference number：06A0204889

Characterization of Planar Semipolar Gallium Nitride Films on Sapphire Substrates

サファイア基板上の平面半極性窒化ガリウムのキャラクタリゼーション

Author (10)： BAKER Troy J. (Univ. California, CA, USA) ,  BAKER Troy J. (JST-ERATO) ,  HASKELL Benjamin A. (Univ. California, CA, USA) ,  HASKELL Benjamin A. (JST-ERATO) ,  WU Feng (Univ. California, CA, USA) ,  WU Feng (JST-ERATO) ,  SPECK James S. (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK James S. (JST-ERATO) ,  NAKAMURA Shuji (Univ. California, CA, USA) ,  NAKAMURA Shuji (JST-ERATO)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 45  Issue： 4-7  Page： L154-L157  Publication year： Feb. 25, 2006 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (27)：

• NAKAMURA, S. The Blue Laser Diode. 2000
• EASTMAN, L. F. IEEE Spectrum. 2002, 39, 28
• TAKEUCHI, T. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 1691
• JIN SEO, I. Phys. Rev. B. 1998, 57, R9435
• LANGER, R. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3827

Terms in the title (4)： サファイア基板 ,  半極性 ,  窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション