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J-GLOBAL ID：200902255897653052   Reference number：06A0113761

Electric- and magnetic-field effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells

変調ドープのn型ZnSe/BeTe-II型量子井戸における放射再結合に及ぼす電場および磁場の効果

Author (6)： JI Ziwu (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  MINO Hirofumi (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  OTO Kenichi (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  AKIMOTO Ryoichi (AIST, Ibaraki, JPN) ,  ONO Kazuo (Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN) ,  TAKEYAMA Shojiro (Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 21  Issue： 1  Page： 87-90  Publication year： Jan. 2006 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： modulation doping ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： 変調ドープ ,  ZnSe ,  量子井戸 ,  放射再結合 ,  電場 ,  磁場